金屬涂層四探針方阻電阻率測試儀使用方法

雙電組合測試方(fang)法(fa)：

利用電流(liu)探針(zhen)、電壓探針(zhen)的變換，進(jin)行(xing)兩(liang)次電測量，對(dui)數(shu)據(ju)進(jin)行(xing)雙電測分析，解(jie)決樣品幾何尺(chi)寸(cun)、邊(bian)界效應以及探針(zhen)不(bu)等距(ju)和(he)機(ji)械游移(yi)等因素(su)對(dui)測量結果的影響，適用于斜置式四探針(zhen)對(dui)于微區的測試。

參照標準(zhun)：

1.硅片電(dian)阻率(lv)測量的標準(zhun)（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方(fang)法(fa)》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率(lv)測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(ce)定直流四探針法》.

金屬涂層四探針方阻電阻率測試儀使用方法

功能描述Description：

• 四探針(zhen)組合雙(shuang)電測量方法
• 液(ye)晶顯示，自動(dong)測量(liang)，自動(dong)量(liang)程，自動(dong)系數補償(chang).
• 集成電路(lu)系統、恒流輸出.
• 選配(pei)：PC軟件(jian)進行數據(ju)管理和處理.
• 提供中(zhong)文或英文兩種語(yu)言操作(zuo)界面選擇

適(shi)用范圍Widely used：

1.覆(fu)蓋膜(mo)(mo);導電(dian)高分(fen)子膜(mo)(mo)，高、低溫電(dian)熱膜(mo)(mo);隔熱、導電(dian)窗(chuang)膜(mo)(mo) 導電(dian)(屏蔽)布(bu)、裝飾(shi)膜(mo)(mo)、裝飾(shi)紙;金屬化(hua)標簽、合金類箔膜(mo)(mo);熔煉、燒結(jie)、濺射、涂覆(fu)、涂布(bu)層，電(dian)阻式(shi)、電(dian)容(rong)式(shi)觸屏薄膜(mo)(mo);電(dian)極(ji)涂料，其他半導體(ti)(ti)材料、薄膜(mo)(mo)材料方阻測試

2.硅晶(jing)(jing)塊、晶(jing)(jing)片電(dian)(dian)阻率及擴散層、外延(yan)層、ITO導(dao)電(dian)(dian)箔膜(mo)(mo)、導(dao)電(dian)(dian)橡膠等(deng)材(cai)料方塊電(dian)(dian)阻  半導(dao)體材(cai)料/晶(jing)(jing)圓、太陽能電(dian)(dian)池、電(dian)(dian)子(zi)元器件，導(dao)電(dian)(dian)薄膜(mo)(mo)（ITO導(dao)電(dian)(dian)膜(mo)(mo)玻璃(li)等(deng)），金屬膜(mo)(mo)，導(dao)電(dian)(dian)漆膜(mo)(mo)，蒸發(fa)鋁膜(mo)(mo)，PCB銅(tong)箔膜(mo)(mo)，

3.EMI涂(tu)層等物質的(de)薄(bo)(bo)層電(dian)(dian)(dian)阻與電(dian)(dian)(dian)阻率  導電(dian)(dian)(dian)性(xing)油漆(qi)，導電(dian)(dian)(dian)性(xing)糊狀(zhuang)物，導電(dian)(dian)(dian)性(xing)塑料，導電(dian)(dian)(dian)性(xing)橡膠，導電(dian)(dian)(dian)性(xing)薄(bo)(bo)膜(mo)，金屬薄(bo)(bo)膜(mo)，

4.抗(kang)靜(jing)電材料， EMI 防(fang)護材料，導電性纖維，導電性陶瓷等