涂布層四探針電阻率測試儀操作手冊

應用說明

覆蓋膜(mo)(mo)(mo)(mo);導(dao)(dao)電(dian)高(gao)分(fen)子膜(mo)(mo)(mo)(mo)，高(gao)、低溫電(dian)熱膜(mo)(mo)(mo)(mo);隔熱、導(dao)(dao)電(dian)窗膜(mo)(mo)(mo)(mo) 導(dao)(dao)電(dian)(屏蔽(bi))布、裝飾膜(mo)(mo)(mo)(mo)、裝飾紙;金(jin)屬化標簽、合金(jin)類箔膜(mo)(mo)(mo)(mo);熔煉、燒結、濺射(she)、涂(tu)(tu)覆、涂(tu)(tu)布層，電(dian)阻式(shi)、電(dian)容(rong)式(shi)觸屏薄膜(mo)(mo)(mo)(mo);電(dian)極涂(tu)(tu)料(liao)，其他半導(dao)(dao)體(ti)材料(liao)、薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)材料(liao)方阻測試

二(er)．描述(shu)

采(cai)用四(si)探針組合雙電(dian)測量方法，液晶顯示(shi)，自動測量，自動量程，自動系(xi)數補償(chang).高集成電(dian)路(lu)系(xi)統、恒流(liu)輸(shu)出；選配：PC軟件進行數據管理(li)和處理(li).

涂布層四探針電阻率測試儀操作手冊

雙(shuang)電(dian)(dian)(dian)測(ce)(ce)數字式四探針測(ce)(ce)試(shi)儀是運用直線或方(fang)形四探針雙(shuang)位測(ce)(ce)量。該(gai)儀器設計符合單晶硅物理測(ce)(ce)試(shi)方(fang)法(fa)國家標(biao)準(zhun)并參考(kao)美(mei)國 A.S.T.M 標(biao)準(zhun)。利用電(dian)(dian)(dian)流探針、電(dian)(dian)(dian)壓探針的變換(huan)，進(jin)行兩次(ci)電(dian)(dian)(dian)測(ce)(ce)量，對數據進(jin)行雙(shuang)電(dian)(dian)(dian)測(ce)(ce)分析，解決樣(yang)品幾(ji)何尺寸、邊(bian)界效應(ying)以(yi)及探針不等距和(he)機(ji)械(xie)游移等因素對測(ce)(ce)量結(jie)果的影響(xiang).

功(gong)能描述Description：

• 四探針(zhen)組合雙電測(ce)量方法(fa)
• 液(ye)晶顯示，自動(dong)測(ce)量(liang)，自動(dong)量(liang)程(cheng)，自動(dong)系數(shu)補償(chang).
• 集成電路系統、恒(heng)流輸出.
• 選(xuan)配：PC軟件進行數(shu)據管理和處理.
• 提供中(zhong)文或英文兩種語言操作界面選(xuan)擇

參照標準：

1.硅(gui)片電(dian)阻率測量的標準（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅(gui)單(dan)晶電阻(zu)率測定(ding)方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單(dan)晶電阻率測(ce)定(ding)直流兩(liang)探針(zhen)法(fa)》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻(zu)率(lv)測定直流四探針法》.

雙電組合測(ce)試(shi)方法：

利(li)用電流探針、電壓探針的變(bian)換，進(jin)行兩次電測(ce)量，對數據進(jin)行雙電測(ce)分析，解(jie)決(jue)樣品幾何尺寸(cun)、邊界效應以及(ji)探針不(bu)等距和(he)機(ji)械游移等因素(su)對測(ce)量結果的影響，適用于斜(xie)置式四探針對于微區的測(ce)試。