涂層四探(tan)針電阻率(lv)測(ce)試(shi)儀現(xian)貨

 ; GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率(lv)測定(ding)直流四探(tan)針法》并(bing)參考(kao)美(mei)國 A.S.T.M 標準，本機(ji)配置232電腦接口及USB兩種(zhong)接口，本機(ji)結合采用范德堡測量原理

四(si)探針電阻率/方(fang)阻測試儀

1.方塊電阻范圍(wei)：10^-5～2×10⁵Ω/□

2.電阻率范圍：10^-6～2×10⁶Ω-cm

3.測試電(dian)流范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA

4.電(dian)流精度：±0.1%讀數

5.電阻精度：≤0.3%

6.顯示讀數：液晶顯示：電(dian)阻(zu)、電(dian)阻(zu)率、方阻(zu)、溫度、單(dan)位換算、溫度系數、電(dian)流、電(dian)壓、探針形狀、探針間距(ju)、厚(hou)度 、電(dian)導(dao)率

7.測(ce)(ce)試方式: 普(pu)通單(dan)電測(ce)(ce)量(liang)

8.工作(zuo)電源: 輸(shu)入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

9.整(zheng)機(ji)不確定性誤差: ≤4%（標準(zhun)樣片結果）

10.選(xuan)(xuan)購(gou)(gou)功能(neng): 選(xuan)(xuan)購(gou)(gou)1.pc軟件； 選(xuan)(xuan)購(gou)(gou)2.方形(xing)(xing)探頭(tou)； 選(xuan)(xuan)購(gou)(gou)3.直線形(xing)(xing)探頭(tou)； 選(xuan)(xuan)購(gou)(gou)4.測試平臺

11.測試探(tan)頭：   探(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)間距選購：1mm；2mm；3mm三(san)種規(gui)格; 探(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)材質選購：碳(tan)化鎢針(zhen)(zhen)(zhen);白鋼針(zhen)(zhen)(zhen)；鍍金磷銅(tong)半球形針(zhen)(zhen)(zhen)

涂層(ceng)四探針電阻率測試儀現貨

參照標準(zhun)：

1.硅片電(dian)阻率(lv)測量的(de)標準（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定(ding)方(fang)法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺(zang)單晶(jing)電(dian)阻(zu)率測定直流(liu)兩探針(zhen)法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四(si)探(tan)針法》.

雙(shuang)電組合(he)測試(shi)方法：

利用電(dian)(dian)流(liu)探針(zhen)、電(dian)(dian)壓探針(zhen)的(de)變換，進行(xing)兩次電(dian)(dian)測量(liang)，對數據(ju)進行(xing)雙電(dian)(dian)測分析，解決樣品幾何(he)尺(chi)寸、邊界效應以及探針(zhen)不等距和(he)機械(xie)游(you)移等因素對測量(liang)結果的(de)影響，適(shi)用于斜(xie)置式四(si)探針(zhen)對于微區的(de)測試。