金屬薄片低阻雙電四探針測(ce)試儀，是目前同行業(ye)中(zhong)能測(ce)量到的Z小(xiao)值，采用高精度AD芯片(pian)控制，恒流輸(shu)出(chu)，結(jie)構合(he)理(li)、質量輕便(bian)(bian)，運(yun)輸(shu)安全、使用方便(bian)(bian)；適用于生產(chan)企業(ye)、高等院校、科研部門(men)，是檢(jian)驗和分析導(dao)體(ti)材料和半(ban)導(dao)體(ti)材料質量的一種重要的工具

FT-361超低阻雙(shuang)電四探針(zhen)測(ce)試儀

一、概(gai)述(shu)：本品為(wei)解(jie)決四(si)探針法(fa)測(ce)(ce)試超低阻(zu)材料方(fang)阻(zu)及電阻(zu)率，zui小可(ke)以(yi)測(ce)(ce)試到1uΩ方(fang)阻(zu)值(zhi)(zhi)，是(shi)目前(qian)同行業中能測(ce)(ce)量到的zui小值(zhi)(zhi)，采用(yong)高(gao)精度(du)AD芯片控制(zhi)，恒流輸出，結構合理、質量輕便，運輸安全、使用(yong)方(fang)便；適用(yong)于生產企(qi)業、高(gao)等院校(xiao)、科研部門(men)，是(shi)檢(jian)驗(yan)和分析(xi)導體(ti)材料和半導體(ti)材料質量的一種(zhong)重要的工(gong)具(ju)。本儀器配置各類(lei)測(ce)(ce)量裝置可(ke)以(yi)測(ce)(ce)試不同材料。

液晶(jing)顯示，無(wu)需(xu)人(ren)工(gong)計算，并(bing)(bing)帶有溫度補償功能，電(dian)阻(zu)率單位自(zi)動選擇，儀器自(zi)動測量并(bing)(bing)根據(ju)測試結果自(zi)動轉(zhuan)換量程，無(wu)需(xu)人(ren)工(gong)多次和重復設置。選配：配備軟件可以(yi)由電(dian)腦操控，并(bing)(bing)保存和打印數(shu)據(ju)，自(zi)動生(sheng)成(cheng)報表；

雙(shuang)(shuang)電(dian)測(ce)(ce)(ce)數字式四(si)探(tan)(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)測(ce)(ce)(ce)試(shi)儀是(shi)運用(yong)(yong)直線或方(fang)形四(si)探(tan)(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)雙(shuang)(shuang)位測(ce)(ce)(ce)量。該儀器設計符(fu)合單晶硅物理測(ce)(ce)(ce)試(shi)方(fang)法標準(zhun)并參考美國(guo) A.S.T.M 標準(zhun)。利用(yong)(yong)電(dian)流探(tan)(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)、電(dian)壓探(tan)(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)的變換，進行兩次(ci)電(dian)測(ce)(ce)(ce)量，對(dui)(dui)數據進行雙(shuang)(shuang)電(dian)測(ce)(ce)(ce)分(fen)析，自動消除(chu)樣(yang)品(pin)幾何尺寸、邊界效應以及(ji)探(tan)(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)不等距和(he)機(ji)械游移等因素對(dui)(dui)測(ce)(ce)(ce)量結果的影(ying)響，它與單電(dian)測(ce)(ce)(ce)直線或方(fang)形四(si)探(tan)(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)相(xiang)比，大(da)大(da)提高度，特(te)別(bie)是(shi)適用(yong)(yong)于斜置式四(si)探(tan)(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)對(dui)(dui)于微區的測(ce)(ce)(ce)試(shi)。

選購：本機還可以配(pei)合(he)各類環境溫(wen)度試驗(yan)箱體使用，通(tong)過不同(tong)(tong)的測量治具滿足不同(tong)(tong)環境溫(wen)度下測量方阻(zu)和電阻(zu)率的需求.

二、金屬薄片低阻雙電四探針測試儀廣泛用于：覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、

薄膜材料方阻(zu)測試硅晶(jing)塊、晶(jing)片(pian)電(dian)(dian)阻率(lv)及(ji)擴(kuo)散層(ceng)、外延層(ceng)、ITO導(dao)電(dian)(dian)箔膜、導(dao)電(dian)(dian)橡膠(jiao)等材料(liao)方(fang)塊電(dian)(dian)阻  半導(dao)體(ti)材料(liao)/晶圓、太陽能(neng)電(dian)池、電(dian)子元器(qi)件，導電(dian)薄膜（ITO導電膜(mo)玻璃等），金(jin)屬膜(mo)，導電漆膜(mo)，蒸發鋁膜(mo)，PCB銅(tong)箔膜(mo)，EMI涂層(ceng)等物質的(de)薄(bo)層(ceng)電(dian)(dian)阻(zu)與電(dian)(dian)阻(zu)率  導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)性(xing)(xing)油漆，導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)性(xing)(xing)糊狀物(wu)，導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)性(xing)(xing)塑料(liao)，導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)性(xing)(xing)橡膠(jiao)，導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)性(xing)(xing)薄膜，金(jin)屬(shu)薄膜，抗靜(jing)電(dian)(dian)(dian)(dian)材料(liao)， EMI 防護(hu)材料(liao)，導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)性(xing)(xing)纖(xian)維(wei)，導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)性(xing)(xing)陶(tao)瓷等

三、低阻雙電四探針測試儀參數資料

1.方塊電阻范(fan)圍(wei)：10^-6～2×10²Ω/□

2.電阻(zu)率范(fan)圍(wei)：10^-7～2×10³Ω-cm

3.測試電流(liu)范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100µA.

4.電流精度：±0.1%讀數

5.電阻精度：≤0.3%

6.顯示(shi)讀(du)數：液晶顯示：電(dian)阻(zu)、電(dian)阻(zu)率、方(fang)阻(zu)、溫(wen)度(du)、單位換算、溫(wen)度(du)系(xi)數、電(dian)流、電(dian)壓、探針形狀、探針間距(ju)、厚度(du) 、電(dian)導率.

7.測試方式: 雙電測量

8.工作電源(yuan): 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

9.整機不(bu)確定(ding)性誤差: ≤4%（標準樣片結果(guo)）

10.選購功能: 選購1.pc軟件(jian)； 2.方形探(tan)頭； 3.直線形探(tan)頭； 4.測試平臺

11.測試探頭：  探針(zhen)間距選購(gou)：1mm；2mm；3mm三(san)種規格; 探針(zhen)材質選購(gou)：碳化鎢針(zhen);白(bai)鋼針(zhen)；鍍金磷(lin)銅半(ban)球形針(zhen)