涂(tu)層雙電(dian)測電(dian)四探針方阻電(dian)阻率(lv)測試儀

雙(shuang)電(dian)測(ce)(ce)(ce)數字式四(si)(si)探(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)測(ce)(ce)(ce)試(shi)儀(yi)(yi)是(shi)(shi)運用(yong)直線或(huo)(huo)方(fang)形(xing)四(si)(si)探(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)雙(shuang)位測(ce)(ce)(ce)量(liang)。該儀(yi)(yi)器設計符合單晶硅物理測(ce)(ce)(ce)試(shi)方(fang)法標(biao)準并(bing)參(can)考美國 A.S.T.M 標(biao)準。利用(yong)電(dian)流探(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)、電(dian)壓探(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)的變換，進(jin)行兩次(ci)電(dian)測(ce)(ce)(ce)量(liang)，對(dui)數據進(jin)行雙(shuang)電(dian)測(ce)(ce)(ce)分析，自動消除樣品(pin)幾何尺寸(cun)、邊界效應(ying)以及探(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)不(bu)等(deng)(deng)距和(he)機械游移(yi)等(deng)(deng)因(yin)素對(dui)測(ce)(ce)(ce)量(liang)結果的影響，它與單電(dian)測(ce)(ce)(ce)直線或(huo)(huo)方(fang)形(xing)四(si)(si)探(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)相比，大(da)大(da)提(ti)高度，特別是(shi)(shi)適用(yong)于(yu)斜置(zhi)式四(si)(si)探(tan)針(zhen)(zhen)(zhen)對(dui)于(yu)微區

涂(tu)層雙電(dian)(dian)測電(dian)(dian)四探(tan)針方阻(zu)電(dian)(dian)阻(zu)率測試(shi)儀

1.方塊(kuai)電阻(zu)范圍：10^-4～2×10³Ω/□

2.電阻(zu)率范圍：10^-5～2×10⁴Ω-cm

3.測試電流范圍：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA

4.電流精(jing)度：±0.2%讀數

5.電阻精度：≤0.3%

6.顯(xian)示讀數：液(ye)晶(jing)顯示：電(dian)(dian)阻、電(dian)(dian)阻率、方阻、溫(wen)度、單位換算、溫(wen)度系數、電(dian)(dian)流(liu)、電(dian)(dian)壓、探(tan)針形狀、探(tan)針間距、厚(hou)度 、電導率

7.測試方式: 雙電測量(liang)

8.工作(zuo)電源: 輸入(ru): AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

9.整機(ji)不確定(ding)性誤(wu)差: ≤4%（標準樣片結果）

10.選(xuan)購(gou)功能: 選(xuan)購(gou)1.pc軟件； 選(xuan)購(gou)2.方(fang)形(xing)探(tan)頭； 選(xuan)購(gou)3.直線形(xing)探(tan)頭； 選(xuan)購(gou)4.測(ce)試(shi)平(ping)臺(tai)

11.測試探頭： 探針(zhen)間距選(xuan)購：1mm；2mm；3mm三種規(gui)格; 探針(zhen)材質選(xuan)購：碳(tan)化鎢針(zhen);白鋼針(zhen)；鍍金磷銅半球形針(zhen)